您的当前位置:首页正文

一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法

来源:华佗小知识
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201910222411.8 (22)申请日 2019.03.22

(71)申请人 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司

地址 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号

(10)申请公布号 CN109735896A

(43)申请公布日 2019.05.10

(72)发明人 高鹏;王建平;郝勇;赵存凤;郭志荣;武皓洋;王林;徐强;谷守伟 (74)专利代理机构 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 栾志超

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法

(57)摘要

本发明提供一种提高单晶硅电阻率控制精

度的方法,对回收料电阻率进行分档;确定合金片参数的波动范围;计算剩料电阻率;配置合金,控制目标电阻率精度。本发明的有益效果是提高电阻率控制精度,提高产品品质,且能够匹配客户需求,提高客户端电池转换效率,同时,减少电阻率不良率,提高合格产出。

法律状态

法律状态公告日

2019-05-10 2019-05-10 2019-06-04

公开 公开

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效

权利要求说明书

一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种提高单晶硅电阻率控制精度的方法的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容