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专利名称：一种低噪声值的半导体器件制造方法及器件专利类型：发明专利
发明人：陈智广,吴淑芳,林伟铭申请号：CN201910573633.4申请日：20190628公开号：CN110429063A公开日：20191108
摘要：本发明公开一种低噪声值的半导体器件制造方法及器件，其中方法包括如下步骤：在外延片上制作源极和漏极金属；涂布第一光刻胶，并在增强型栅极底部形成开口；涂布第二光刻胶，并在增强型栅极底部上方形成上窄下宽的开口；进行金属沉积，使得金属沉积在增强型栅极底部，形成增强型栅极底部金属；去除第一光刻胶和第二光刻胶，涂布第三光刻胶，并在增强型栅极和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口；进行金属沉积，使得金属沉积在增强型栅极底部金属上和耗尽型栅极底部，形成增强型栅极顶部金属和耗尽型栅极金属；去除第三光刻胶。本发明可以在不增加光罩、不增加额外制程步骤、不改变现有制程条件的条件下降低器件噪声值和提高射频性能。
申请人：福建省福联集成电路有限公司
地址：351117 福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号
国籍：CN
代理机构：福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
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