提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410332205.X （22）申请日 2014.07.14

（71）申请人 积体电路制造股份有限公司

地址 中国新竹

（10）申请公布号 CN105023909A

（43）申请公布日 2015.11.04

（72）发明人 游绍祺;洪嘉明;陈相甫;戴文川;黄信锭 （74）专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人 章社杲

（51）Int.CI

H01L23/528; H01L21/768;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法

（57）摘要

本发明公开了一种为半导体封装提供再分

布层(RDL)和硅通孔(TSV)的方法。该方法包括制备用于与半导体封装接合的晶圆。该晶圆包括低电阻衬底，低电阻衬底含有RDL和TSV以用于使半导体封装的输入/输出(I/O)连接点在另一位置可用。RDL包括穿过低电阻衬底并且两侧均由隔离沟槽划界的导电路径。TSV由隔离沟槽和RDL

划界。制备用于接合的晶圆可以包括：制备隔离沟槽，该隔离沟槽对穿过低电阻衬底的用于RDL的导电路径划界以及对低电阻衬底中的用于TSV的立柱中的垂直导电路径划界；在隔离沟槽中填充隔离沟槽材料；以及制备晶圆接合面。本发明还公开了提供再分布层(RDL)和硅通孔(TSV)的结构和方法。

法律状态

法律状态公告日

2015-11-04 2015-11-04 2015-12-02 2015-12-02 2018-01-26

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

提供再分布层（RDL）和硅通孔（TSV）的结构和方法的说明书内容是....请下载后查看