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专利名称：电化学沉积法制备CuFeSnS薄膜专利类型：发明专利
发明人：周继承,刘涵坚,李红江,秦云龙,张哲申请号：CN2015106725.8申请日：20151016公开号：CN105332026A公开日：20160217
摘要：本发明公开了一种光伏电池用黄锡矿结构铜铁锡硫(CuFeSnS)薄膜的电化学沉积制备方法，即三元共沉积制备金属预制层并通过后续硫化退火形成CuFeSnS薄膜，主要通过以下过程来实现：首先，按摩尔比CuCl·2HO∶FeCl·4HO∶SnCl·2HO＝2∶20∶1的原则依次称取试剂，同时配以一定量的柠檬酸三钠、酒石酸、D-山梨醇、抗坏血酸，将烧杯内溶液搅拌均匀，调节PH直至沉淀完全溶解，完成电解液的配置；然后采用恒电位沉积的方式电化学沉积得到铜铁锡金属预制层；最后，用高纯氩气作保护气体，用硫粉作为硫源，对铜铁锡金属预制层进行硫化退火，得到CuFeSnS薄膜。该黄锡矿结构CuFeSnS薄膜材料的电化学沉积制备方法反应时间短，温度低，操作简便，成本低廉，绿色无污染，适合CuFeSnS薄膜材料的大规模产业化生产。
申请人：中南大学
地址：410083 湖南沙市岳麓区岳麓山南路932号
国籍：CN
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