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双向可控硅新型器[实用新型专利]

来源:华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:双向可控硅新型器专利类型:实用新型专利发明人:杨继良

申请号:CN97229166.0申请日:19971009公开号:CN2390228Y公开日:20000802

摘要:一种双向可控硅新型器装置,由电路,消滞后电路、脉冲形成门控电路连结组成。其前端电路由光电二极D和光敏电阻MG与限流电阻R串连组成;其后级电路由W与R串连组成,并联后经抗干扰电容C滤波经接点③、④输入至消滞后电路中的PNP型三极管BG和NPN型三极管BG的基极,经消滞后处理的信号加至电容C移相,当电容C上移相电压充至双向触发二极管BD导通门限后,在电阻R两端形成触发控制脉冲电压,用以控制双向可控硅的导通角,以达调节控制之目的。

申请人:杨继良

地址:404600 重庆市奉节县永安镇永安路163号

国籍:CN

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