一种硅片的磷吸杂工艺

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200910034600.9 （22）申请日 2009.09.03

（71）申请人 无锡尚品太阳能电力科技有限公司

地址 214181 江苏省无锡市惠山区前洲洛洲路8号

（10）申请公布号 CN101667605A

（43）申请公布日 2010.03.10

（72）发明人 杜正兴

（74）专利代理机构 无锡市大为专利商标事务所

代理人 殷红梅

（51）Int.CI

H01L31/18;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种硅片的磷吸杂工艺

（57）摘要

本发明涉及一种太阳能电池制造中的硅片

磷吸杂工艺，将制备好绒面的硅片放入扩散炉里进行预沉积，扩散后去磷硅玻璃层，将经过再分布处理后的硅片放入氢氟酸溶液中浸泡，去掉硅片表面上的氧化层；再将上述经过清洗后去除掉表面氧化层的硅片放到扩散炉里再次进行二次扩散处理，二次扩散工序处理后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，测量硅片的方块电阻；本

发明能有效减小重掺杂“死层”，硅片的平均少子寿命大大提高；按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的电池片平均转化效率进一步提高，电池片的各项电性能参数更优。

法律状态

法律状态公告日

2010-03-10 2010-04-28 2011-09-21 2014-10-22

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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