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专利名称：基于统一缓存架构的多流存储设备专利类型：发明专利发明人：刘玉进,孙清涛申请号：CN201811203693.9申请日：20181016公开号：CN110968520A公开日：20200407
摘要：本申请涉及存储技术，具体地，涉及基于统一缓存架构的多流存储设备。本申请采用的技术方案是：将具有第一流标识符的缓存单元关联到第一虚拟页；根据第一虚拟页提供的物理地址与缓存单元的索引，将从缓存单元获取的数据写入NVM芯片。由于现有技术的电子设备的多个部件具有缓存，这增加了缓存的用量，增加了电子设备的成本与功耗。因此希望统一管理多个部件使用的缓存，提高缓存的利用率，并降低缓存的成本，提高电子设备的性能。
申请人：北京忆恒创源科技有限公司
地址：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室
国籍：CN
代理机构：北京卓特专利代理事务所(普通合伙)
代理人：陈变花
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