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专利名称：半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法专利类型：发明专利发明人：陈广辉
申请号：CN201910866068.0申请日：20190912公开号：CN112490118A公开日：20210312
摘要：本公开提供一种半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在一基板上形成第一类金刚石碳膜层；在第一类金刚石碳膜层远离基板的表面上形成硅层，硅层在第一类金刚石碳膜层远离基板的表面形成多个成膜区域，且各成膜区域互不连通；硅层和第一类金刚石碳膜层共同构成目标膜层；向目标膜层注入硼离子，以形成掩膜层。本公开的硬掩膜结构的制造方法可防止网格畸变，提高图形转移的精确度。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
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