半导体晶圆测试结构及其形成方法[发明专利]

来源：华佗小知识

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体晶圆测试结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：周华

申请号：CN201910406880.5申请日：20190516公开号：CN110120357A公开日：20190813

摘要：一种半导体晶圆测试结构及其形成方法，半导体晶圆测试结构包括：基底；位于基底上的第一器件层，所述第一器件层内具有沿第一方向排布的若干第一衬垫和若干第一测试单元，每个第一测试单元与两个不同的第一衬垫电连接，每个第一衬垫与两个不同的第一测试单元电连接；位于第一器件层上的第二器件层，所述第二器件层内具有沿第二方向排布的若干第二衬垫和若干第二测试单元，所述第二方向与第一方向不同，每个第二测试单元与两个不同的第二衬垫电连接，每个第二衬垫与两个不同的第二测试单元电连接；位于第二器件层内的第三衬垫，所述第三衬垫与第一衬垫一一对应连接。所述半导体晶圆测试结构的所占用的面积较小，提高了半导体器件的空间利用率。

申请人：芯盟科技有限公司

地址：314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

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