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专利名称：一种氮氧化物传感器芯片专利类型：实用新型专利
发明人：贺立龙,王博学,万筱怡,洪向东,殷春民,韩领社,孙卫
龙
申请号：CN2016201356.9申请日：20160311公开号：CN205426843U公开日：20160803
摘要：一种氮氧化物传感器芯片，第六层膜带内设有第一扩散障层，第一扩散障层上方第六层膜带上设有环形氧泵电极，第一扩散障层的下方第五层膜带的一侧设有第一通孔a与第六层膜带和第四层膜带形成第一腔室、另一侧设有第二通孔b与第六层膜带和第四层膜带形成第二腔室，第一通孔a与第二通孔b之间设置有第二扩散障层，第一腔室顶部和底部设有主氧泵内电极，第二腔室顶部和底部左侧设有辅助泵电极，第二腔室右底部设有测量电极，第四层膜带上设有通孔与第五层膜带和第三层膜带形成半封闭的参比腔室，第四层膜带与第三层膜带之间设有一端伸入到参比腔内的参比电极，第三层膜带与第二层膜带之间设有加热电极第二层膜带与第一层膜带之间设有另一根加热电极引线。
申请人：西安创联电气科技(集团)有限责任公司
地址：710065 陕西省西安市高新区电子工业园电子西街3号
国籍：CN
代理机构：西安永生专利代理有限责任公司
代理人：申忠才
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