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专利名称：具有封装测试作用的芯片电极并列结构专利类型：实用新型专利
发明人：欧阳睿,肖金磊,许秋林,杨树坤,胡博,陈凝申请号：CN201820650946.6申请日：20180503公开号：CN208111402U公开日：20181116
摘要：本实用新型公开了具有封装测试作用的芯片电极并列结构，包括封装电极和晶圆测试电极，封装电极与晶圆测试电极并联成对排布，其中，封装电极距离晶圆测试电极的距离为10um～30um，封装电极的边长为60um～90um，晶圆测试电极的边长为30um～40um；本实用新型的芯片电极并列结构，能够使得封装电极与晶圆测试电极在物理和功能上进行隔离，从而消除在生产环节因测试、制造对封装电极造成的破坏性影响；同时，因晶圆测试电极的损伤对封装无影响，所以能够适当增加测试扎针次数，避免传统结构上由于多次测试造成的电极损伤严重无法封装的隐患，降低产品报废成本。
申请人：紫光同芯微电子有限公司
地址：100083 北京市海淀区五道口王庄路1号同方科技广场D座西楼18层
国籍：CN
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