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专利名称：硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用专利类型：发明专利
发明人：卓恩宗,赵志伟,彭佳添,林昆志申请号：CN200910129119.8申请日：20090325公开号：CN101515608A公开日：20090826
摘要：本发明的领域关于一光电池。在一个实施例内，该光电池包含一第一导电层、一形成于第一导电层上的N型掺杂半导体层、一形成于该N型掺杂半导体层上的第一硅层、一形成于一第一硅层上的纳米结晶硅(nc－Si)层、一形成于该纳米结晶硅层上的第二硅层、一形成于第二硅层上的P型掺杂半导体层以及一形成于该P型掺杂半导体层上的第二导电层。第一硅层与第二硅层两者其中之一者是由非结晶硅所形成，另一者是由多晶硅所形成。
申请人：友达光电股份有限公司
地址：省新竹
国籍：CN
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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