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专利名称：一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管专利类型：发明专利
发明人：杜江锋,潘沛霖,陈南庭,于奇申请号：CN201410427351.0申请日：20140827公开号：CN104167444A公开日：20141126
摘要：本发明公开了一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层以及势垒层，在势垒层上形成源极、漏极以及栅极，在势垒层上侧栅漏端有局部帽层。本发明通过在栅漏间引入局部帽层，使势垒层和局部帽层之间净剩下负的极化电荷，由此耗尽部分沟道漏端二维电子气，形成LDD(low density drain)结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升耐压能力。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：电子科技大学专利中心
代理人：李明光
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