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专利名称：稀土类磁铁的制造方法专利类型：发明专利
发明人：中村英树,森尚树,中野博文,田边孝司申请号：CN201010158481.0申请日：20100330公开号：CN101853724A公开日：20101006
摘要：本发明提供稀土类磁铁的制造方法，所述稀土类磁铁含有稀土类化合物，该稀土类化合物含有第1稀土类元素和第2稀土类元素，所述方法具备：混合工序，将稀土类化合物粉末和扩散材料混合以调制混合粉末，其中，所述稀土类化合物粉末含有所述第1稀土类元素，并经吸氢·歧化·脱氢·再复合处理，所述扩散材料含有与所述第1稀土类元素不同的所述第2稀土类元素；成形工序，将所述混合粉末在磁场中成形以制作成形体；和加热工序，将所述成形体加热，使所述第2稀土类元素在所述稀土类化合物粉末中扩散。
申请人：TDK株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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