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专利名称：电沉积二硫化钼量子点修饰二氧化钛纳米管阵列的
制备方法
专利类型：发明专利
发明人：赖跃坤,董佳宁,黄剑莹申请号：CN201710960455.1申请日：20171016公开号：CN107723777A公开日：20180223
摘要：本发明公开了一种电沉积二硫化钼量子点修饰二氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先对基底材料表面进行清洁预处理；配制含氟化铵和水的乙二醇溶液为电解液，对钛基底材料进行电化学阳极氧化，并将其置于马弗炉内煅烧；再将二硫化钼利用红外压片机将粉末状至制备成片状；最后借助直流稳压电源，二硫化钼片为阳极，二氧化钛纳米管阵列作为阴极，以双三氟甲烷磺酰亚胺锂溶液为电解液进行电解剥离沉积二硫化钼量子点。二氧化钛纳米管阵列可控沉积二硫化钼量子点，可提高TiO的光催化效率；光吸收能力，以及利用复合材料形成p‑n结，将其应用于光催化时可提高电极对对有机污染物的光催化降解能力。
申请人：南通纺织丝绸产业技术研究院
地址：226300 江苏省南通市通州区新世纪大道266号江海智汇园D1号楼
国籍：CN
代理机构：苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人：陆金星
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