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专利名称：具有降低击穿电压的低电压瞬态电压抑制器专利类型：发明专利
发明人：戴圣辉,金雅琴,汪海宁,蒋铭泰申请号：CN200780029780.0申请日：20070810公开号：CN101501856A公开日：20090805
摘要：一种半导体结型器件，包括低电阻率半导体材料的衬底202，所述衬底具有预先选择的极性。锥形凹进部210延伸到衬底202中，并且随着从衬底202的上表面向下延伸而向内逐渐变细。半导体层(N+POLY)设置在凹进部210内，并且延伸到衬底202的上表面之上。半导体层(N+POLY)具有与衬底202的极性相反的极性。金属层212在半导体层(N+POLY)上。
申请人：威世通用半导体公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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