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专利名称：磁阻效应元件和磁存储器专利类型：发明专利
发明人：杉山英行,齐藤好昭,井口智明申请号：CN200710006985.9申请日：20070131公开号：CN101030443A公开日：20070905
摘要：可以在低电流密度下引起自旋反转，这样不会造成元件损坏，还可以用小电流进行写操作。一种磁阻效应元件包括：磁化钉扎层，其中磁化方向被钉扎；磁记录层，其中磁化方向可变，所述磁化钉扎层中的磁化方向与所述磁记录层中的磁化方向之间形成一个大于0度小于180度的角，并且通过注入自旋极化电子到所述磁记录层中，所述磁记录层中的磁化方向实现反转；以及一个非磁性金属层，介于所述磁化钉扎层和磁记录层之间。
申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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