专利名称：磁阻效应元件和磁存储器专利类型：发明专利
发明人：刈屋田英嗣,末光克巳申请号：CN201310026991.6申请日：20130121公开号：CN103296198A公开日：20130911
摘要：本发明涉及一种磁阻效应元件和磁存储器。本发明使得能够在使用垂直磁化膜的磁阻效应元件中抑制通过高温热处理引起的MR率降低。该磁阻效应元件包括数据存储层、数据参考层、以及介于数据存储层与数据参考层之间的MgO膜。数据存储层包括与MgO膜接触的CoFeB膜、垂直磁化膜、以及介于CoFeB膜与垂直磁化膜之间的Ta膜。CoFeB膜通过Ta膜磁耦合到垂直磁化膜。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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