一种N-P互补肖特基二极管结构

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010121451.2 （22）申请日 2010.03.10

（71）申请人 上海宏力半导造有限公司

地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

（10）申请公布号 CN101814499A

（43）申请公布日 2010.08.25

（72）发明人 黎坡

（74）专利代理机构 上海智信专利代理有限公司

代理人 王洁

（51）Int.CI

H01L27/08; H01L29/872;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种N-P互补肖特基二极管结构

（57）摘要

一种N-P互补肖特基二极管结构，包括位

于同一半导体衬底上的N型肖特基二极管和P型肖特基二极管，其中，N型肖特基二极管结构中包括与轻掺杂阱区直接接触的金属硅化物，而P型肖特基二极管不包括金属硅化物层。本发明提供的N-P互补肖特基二极管结构与传统的N、P肖特基二极管均包括金属硅化物层或均不包括金属

硅化物层的N-P互补肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对N型肖特基结特性的影响，同时克服了金属硅化物对P型肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，使得N、P肖特基二极管均具有优良的正向和反向特性，提高了N-P互补肖特基二极管的性能。

法律状态

法律状态公告日

2010-08-25 2010-10-13 2012-02-08 2014-06-04

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

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专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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