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专利名称：源漏完全硅金属化的场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：吴健
申请号：CN202010174767.1申请日：20200313公开号：CN111293114A公开日：20200616
摘要：本发明涉及一种源漏完全硅金属化的场效应晶体管及其制造方法，属于涉及半导体技术领域。采用了该发明的源漏完全硅金属化的场效应晶体管，其高压器件源极侧N+掺杂区的大小由制程中所采用的第二侧墙层的大小决定，因此，其Lnp可足够小且尺寸均匀，同时，源极侧也可被硅金属化，电阻更小，且本发明的源漏完全硅金属化的场效应晶体管的制造方法可通过采用标准制程实现，制造过程简便，应用范围十分广泛。
申请人：吴健
地址：200052 上海宁区延安西路900号
国籍：CN
代理机构：上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：蔡沅
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