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专利名称：改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构专利类型：发明专利发明人：林晓东,李成强申请号：CN201611169570.9申请日：20161216公开号：CN106756790A公开日：20170531
摘要：本发明提出一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，包括：腔体、驱动装置、磁性件、靶材、上挡板、下挡板、晶片等；上挡板呈倒锥形筒状，上挡板的外沿架设在腔体的开口处，且上挡板的底端低于基座压环的上表面；腔体开设有氧气进口，进口处安装有进气环，气环分为外环和内环，外环是一个进气口，分开两个出气口，分开的两路孔连接内环，内环的孔对称分布。本发明的腔体结构，气体进入腔体后不会立即从上、下挡板之间的缝隙中抽走，气体下抽的过程中，气流会有一个向中心方向的矢量，提高了晶圆中心的反应气体浓度；将混合进气改为单独进气，气流分布均匀，弥散性更好，氧气和氩气进气口分开，氩气能更好的搅拌氧气，使氧气分布更均匀。
申请人：中科微机电技术(北京)有限公司
地址：100085 北京市海淀区安宁庄路23号2幢六层6161室
国籍：CN
代理机构：北京酷爱智慧知识产权代理有限公司
代理人：安娜
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