专利名称：低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：卢瑞
申请号：CN201710404836.1申请日：20170601公开号：CN107068771A公开日：20170818
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，涉及液晶面板加工技术领域，解决了现有技术中存在的低温多晶硅的生产过程中容易产生晶界缺陷的技术问题。低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法通过采用先在栅绝缘层上形成氧化硅介电层、后在氧化硅介电层上形成氮化硅介电层的操作步骤，使介电层的膜层结发生了改变，即介电层的界面由氮化硅‑氧化硅变为氧化硅‑氮化硅，由于介电层下方的栅绝缘层为氮化硅沉积获得，因此介电层与栅绝缘层之间的界面为同种物质，消除了兼容性的问题；同理，绝缘层由氧化硅沉积获得，因此介电层与绝缘层之间也不存在兼容性的问题，即可消除介电层以及绝缘层的晶界缺陷。
申请人：武汉华星光电技术有限公司
地址：430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
国籍：CN
代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司
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