具有不同光电二极管结构的光电检测器阵列[发明专利]

来源：华佗小知识

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有不同光电二极管结构的光电检测器阵列专利类型：发明专利

发明人：H·托莫马楚,M·库沙梅基,K·库博特,Y·马苏达,A·苏吉

哈拉,H·S·基塔达,T·康诺

申请号：CN201480023575.3申请日：20140428公开号：CN1051787A公开日：20151216

摘要：本发明涉及一种制造具有不同光电二极管结构的光电二极管阵列的方法(100)，其包括提供(101)具有第一二极管区和第二二极管区的半导体衬底，该第一二极管区和第二二极管区包括以第一掺杂类型掺杂的底部衬底部分、本征层、以及以第二掺杂类型掺杂的顶部硅层。第二二极管区是以第二掺杂类型注入(103)的。第二二极管区表面中掺杂浓度至少为第一二极管区中掺杂浓度的三倍。顶部硅层被热氧化(104)从而形成热氧化硅层，以提供底部抗反射涂层(ARC)。第二二极管区生长的热氧化硅相比第一二极管区较厚。顶部ARC层沉积(105)在底部ARC层上。第一PD提供在第一二极管区中，且第二PD提供在第二二极管区中。

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

地址：美国德克萨斯州

国籍：US

代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司

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