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专利名称：金属氧化物半导体元件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：黄宗义
申请号：CN201810695720.2申请日：20180629公开号：CN110660852A公开日：20200107
摘要：本发明提出一种型金属氧化物半导体元件及其制造方法。金属氧化物半导体元件包含：半导体层、绝缘结构、阱区、栅极、源极、漏极、第一轻掺杂区以及第二轻掺杂区。其中，第一轻掺杂区位于栅极的间隔层及部分介电层的正下方。且于通道方向上，第一轻掺杂区邻接于漏极与反转电流通道之间，并分隔漏极与反转电流通道。第二轻掺杂区包括第一部分与第二部分。第一部分位于栅极靠近源极侧的间隔层的正下方，且第一部分邻接于源极与反转电流通道之间。第二部分位于栅极靠近漏极侧的间隔层的正下方，且邻接漏极与第一轻掺杂区。
申请人：立锜科技股份有限公司
地址：中国新竹县竹北市
国籍：CN
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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