整流二极管
来源：华佗小知识
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201120403734.6 （22）申请日 2011.10.21
（71）申请人 四川太晶微电子有限公司
地址 629000 四川省遂宁市开发区德泉路微电子工业园四川太晶微电子有限公司
（10）申请公布号 CN202454561U
（43）申请公布日 2012.09.26
（72）发明人 李治刿;张剑;俞建;李驰明 （74）专利代理机构 成都虹桥专利事务所
代理人 李顺德
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
整流二极管
（57）摘要
本实用新型涉及半导体器件，特别涉
及一种整流二极管。本实用新型公开了一种整流二极管。本实用新型的技术方案是，整流二极管，包括管芯和引线，所述管芯由自上而下的N+层、N-层、P-层和P+层构成，所述N+层上表面和P+层下表面有欧姆接触层，所述引线与欧姆接触层连接，所述管芯涂覆有保护层。本实用新型的管芯，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区
载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本实用新型主要用于制造高耐压整流二极管。 法律状态
法律状态公告日
2012-09-26 2016-12-07
法律状态信息
授权 专利权的终止
法律状态
授权
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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