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专利名称：升级冶金级硅材料提纯的过程控制专利类型：发明专利
发明人：K·欧纳杰拉,M·瓦莱蕾西亚卡,A·儒伊尼,M·霍伊尔,O·
西德克海尔,A·布洛斯,F·基施特
申请号：CN201080018680.X申请日：20100210公开号：CN102498062A公开日：20120613
摘要：本发明提供一种用于UMG-Si提纯的过程控制方法，其执行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅锭。所述锭被分割为多个块，并映射每个硅块的电阻率分布。基于电阻率映射，计算用于去除定向固化过程中浓缩和捕捉在锭中的杂质的剪切线。然后，通过沿着块的计算的剪切线剪切每个块，去除浓缩的杂质。
申请人：卡利太阳能有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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