（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201410121021.9 （22）申请日 2014.03.28
（71）申请人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
（10）申请公布号 CN103954819B
（43）申请公布日 2016.08.17
（72）发明人 李琼;马文全;张艳华;黄建亮
（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 任岩
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
（57）摘要
本发明公开了一种近零偏时半导体红
外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值 法律状态
法律状态公告日
2014-07-30 2014-07-30 2014-08-27 2014-08-27 2016-08-17 2016-08-17
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
法律状态公告日
2019-03-19
法律状态信息
专利权的终止
法律状态
专利权的终止
权利要求说明书
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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