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专利名称：存储器及其擦除、编程和读取方法专利类型：发明专利发明人：杨光军
申请号：CN201410854986.9申请日：20141230公开号：CN1044810A公开日：20150325
摘要：一种存储器及其擦除、编程和读取方法，其中，所述第一隔离单元和第二隔离单元均与所述存储单元的结构相同；所述存储单元的第一掺杂区连接所述第一位线，所述存储单元的第二掺杂区连接所述第二位线；所述第一隔离单元的第二掺杂区连接所述第一位线，所述第二隔离单元的第一掺杂区连接所述第二位线；所述第一隔离单元的第一掺杂区作为所述第一隔离单元的连接端，所述第一隔离单元的第一控制栅结构和第二控制栅结构连接在一起作为所述第一隔离单元的控制端；所述第二隔离单元的第二掺杂区作为所述第二隔离单元的连接端，所述第二隔离单元的第一控制栅结构和第二控制栅结构连接在一起作为所述第二隔离单元的控制端。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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