专利名称：一种双掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：关英翔,邹小平,岐晓蕾,李媛媛申请号：CN201510953770.2申请日：20151221公开号：CN105374940A公开日：20160302
摘要：一种双掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层进行阴、阳离子双掺杂。其制备方法是：在介孔层上用两步旋涂法制备钙钛矿吸光层，其中在旋涂甲基碘化铵溶液时用甲基氯化铵和5-氨基戊酸碘盐同时进行掺杂，之后采用丝网印刷法制备碳对电极，最后进行热压处理。本发明一种双掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法，通过对钙钛矿吸光层进行掺杂，改善钙钛矿吸光层的光物理特性，提高了钙钛矿太阳能电池的性能。
申请人：北京信息科技大学
地址：100101 北京市朝阳区北四环中路35号
国籍：CN
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