MOS型半导体集成电路装置

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200510136156.3 （22）申请日 2005.12.20 （71）申请人 株式会社东芝

地址 日本东京

（10）申请公布号 CN1794585A （43）申请公布日 2006.06.28

（72）发明人 栉田桂一;平林修

（74）专利代理机构 上海专利商标事务所有限公司

代理人 沈昭坤

（51）Int.CI

H03K19/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

MOS型半导体集成电路装置

（57）摘要

本发明揭示一种MOS型晶体管集成电路装

置，具有P沟道及N沟道MOS晶体管，且设置使前级的输出信号供给后级作为输入信号的多级连接的多个MOS型电路。所述多个MOS型电路中，从最后级看，第奇数级的MOS型电路各自的电源供给节点与电源电压VDD的供给节点之间插入第1晶体管。所述多个MOS型电路中，从最后级看，第偶数级的MOS型电路各自的电源供给节点

与所述电源电压VDD的供给节点之间插入第2晶体管。控制电路进行控制，使所述多个MOS型电路为待机状态时，分别把待机状态的多个MOS型电路从待机状态恢复到有源状态时，首先使所述第2晶体管导通，接着使所述第1晶体管导通。

法律状态

法律状态公告日

2006-06-28 2006-06-28 2006-08-23 2006-08-23 2011-10-12 2011-10-12 2018-12-07

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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