专利名称:一种分析硅同位素组成的方法及装置专利类型:发明专利
发明人:高建飞,丁悌平,范昌福,胡斌申请号:CN201910044614.2申请日:20190117公开号:CN109596701A公开日:20190409
摘要:本发明涉及稳定同位素分析技术领域,具体涉及一种分析硅同位素组成的方法及装置。本发明在红外激光加热条件下,将含硅样品和氟化剂进行氟化反应,能够实现微量含硅样品制备SiF气体来分析所述含硅样品中的硅同位素组成,且能够有效缩短氟化反应时间,提高分析效率。实施例的结果表明,在样品量大大减少的情况下(仅为传统方法中样品量的1/10左右),本发明提供的方法与传统方法的精度相当,能够实现微量含硅样品中硅同位素组成的准确分析。
申请人:中国地质科学院矿产资源研究所
地址:100000 北京市西城区百万庄大街26号
国籍:CN
代理机构:北京高沃律师事务所
代理人:代芳
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