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专利名称：一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方
法
专利类型：发明专利发明人：张清河,梁国庆申请号：CN2012102724.8申请日：20120730公开号：CN102730701A公开日：20121017
摘要：本发明公开了一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法，该方法依次包括以下步骤：1）氧化，所述氧化步骤是将电熔氧化锆尾气与氧气含量为60~80%的净化气体混合充分反应，得到含气相二氧化硅的混合气体；2）冷却，将含气相二氧化硅的混合气体冷却至220~280℃；3）分离，将冷却后的含气相二氧化硅的混合气体进行分离，得到气相二氧化硅。与现有技术相比，本发明利用电熔氧化锆尾气制备的气相二氧化硅粒度在0.1-1.0um之间、白度在92-96之间、纯度在98％以上。
申请人：焦作市科力达科技有限公司
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国籍：CN
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