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专利名称：一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法专利类型：发明专利
发明人：李俊鸿,余旭升,梁明中申请号：CN01141914.8申请日：20010921公开号：CN1411040A公开日：20030416
摘要：一种能提高在多晶硅蚀刻机(Polysilicon Etcher)中介电材料对硅的蚀刻选择比
(Selectivity)的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法为一种干式蚀刻(Dry Etching)法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀刻反应室内的反应气体为四氟化碳(Carbon Tetrafluoride；CF)/氟代甲烷(CHF；x＝2，y＝2或x＝1，y＝3)/氧气(Oxygen；O)，不但可在多晶硅等离子体蚀刻机中蚀刻介电材料层及多晶硅层，且可大幅提高介电材料对硅的蚀刻选择比，并且可获得笔直的蚀刻外形，和稳定的反应室环境。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：赵蓉民
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