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专利名称：晶界扩散钕铁硼磁体的界面方法专利类型：发明专利
发明人：冯海波,赵扬,李安华,谭敏,李卫申请号：CN2017104873.1申请日：20170619公开号：CN107275028A公开日：20171020
摘要：一种晶界扩散钕铁硼磁体的界面方法，属于稀土永磁材料技术领域。通过进行界面处理，改善钕铁硼磁体晶界结构、优化晶界处与扩散进入晶粒内部的稀土的分布，进而在扩散处理后的磁体中获得较高的剩磁。通过界面处理，能够重稀土Dy、Tb在磁体内部的分布，使重稀土元素Dy、Tb仅分布于主相NdFeB晶粒外表层，最终使磁体由于稀土扩散处理所降低的剩磁恢复至接近扩散前的水平。优点在于，解决了晶界扩散提高矫顽力导致剩磁降低的难题。可以实现兼具高剩磁和超高矫顽力磁体的制备和生产，具有广阔的市场前景，经济效益显著。
申请人：钢铁研究总院
地址：100081 北京市海淀区学院南路76号
国籍：CN
代理机构：北京华谊知识产权代理有限公司
代理人：刘月娥
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