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专利名称：磁传感器的制造方法及磁传感器集合体专利类型：发明专利发明人：远藤大三
申请号：CN201880056955.5申请日：20180912公开号：CN111051910A公开日：20200421
摘要：磁传感器的制造方法，其包括下述工序：软磁体层堆积工序，利用磁控溅射在基板10上堆积软磁体层101，所述软磁体层101构成对磁场进行感应的感应部21；和感应部形成工序，在软磁体层101的被用于磁控溅射的磁场赋予了单轴磁各向异性的部分，形成对磁场进行感应的感应部21。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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