三极管引线框架的制造方法[发明专利]
来源：华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：三极管引线框架的制造方法专利类型：发明专利发明人：曹光伟,段华平申请号：CN200610154851.7申请日：20061124公开号：CN1959945A公开日：20070509
摘要：本发明公开了一种引线框架的制造方法，特别是一种三极管用的引线框架的冲压制造方法，包括：a.冲压制造引线框架卷带：从同一工件冲压制造通过连接筋(4)连接的两条引线框架卷带，再去除连接筋(4)；所述引线框架卷带为两排单排引线框架卷带(5、6)，所述单排引线框架卷带(5、6)通过设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)并列相接；b.对所述引线框架卷带(5、6)的头部(7)区域及设于引线框架卷带头部(7)外沿的分切点(3)进行电镀；c.切除分切点(3)，再将分离的引线框架卷带(5、6)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片包括多个引线框架。该方法生产效率高，降低了成本，减少了对环境的污染。
申请人：宁波康强电子股份有限公司
地址：315105 浙江省宁波市鄞州区潘火工业区
国籍：CN
代理机构：宁波市鄞州甬致专利代理事务所
代理人：代忠炯
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