电子科技大学硕士研究生入学考试初试考试大纲

考试科目 考试时间 参考书目 829数字电路与模拟电路 180分钟 考试形式 考试总分 笔试（闭卷） 150分 《数字设计--原理与实践》(第三版) John F.Wackerly 机械工业出版社 2003年 《模拟电路基础》 刘光祜 电子科技大学出版社 一、总体要求 二、内容及比例 一、数字电路 逻辑关系的表达和基本化简方法 掌握组合逻辑关系的基本表示方法： 真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图 已知一种表达形式，能够将其转换为其他形式 逻辑关系式的化简： 掌握逻辑关系式的标准表达式（最小项和式）； 掌握卡诺图化简的方法，能够得出最简与或式（最简积之和表达式）； 掌握利用无关项进行化简的方法； 组合逻辑部分 组合电路分析： 对于已知电路图，写出逻辑表达式，作出卡诺图和真值表，指出各端口功能； 对于已知电路图，利用卡诺图分析竞争冒险问题； 简单组合电路的设计（SSI）： 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式； 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图； 要求掌握下列设计实例：数据判断电路（4输入）、二进制译码器、数据选择器、全加器 利用集成组合电路进行设计（MSI）： 掌握集成二进制译码器、集成数据选择器的基本输入输出特点和级连扩展方法； 能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路的设计； 时序逻辑部分 时序电路的分析 掌握JK触发器和D触发器的特性方程； 对于已知时序电路图，能够写出对应的驱动方程、输出方程； 能够利用写出的驱动方程结合对应触发器的特性方程得到时序电路的状态方程； 能够根据电路的状态方程作出状态/输出表，并由此画出状态转换图； 能够根据状态方程或状态转换图，讨论该时序电路的基本功能和特点。 基本时序电路的设计（SSI） 有限状态机设计： 能够通过对设计要求的分析建立状态转换图或状态/输出表； 利用状态/输出表，通过相应的卡诺图得出最简单的激励方程与输出方程； （上述化简应分别考虑采用JK触发器的情况和采用D触发器的情况，各方程均应为最简与或式） 根据激励方程与输出方程画出相应的逻辑电路图。 要求掌握下列设计实例：一般计数器、序列发生器、序列信号检测器； 利用集成时序电路进行设计（MSI）： 掌握集成计数器、集成移位寄存器的基本输入输出特点和级连扩展方法； 能够通过对集成计数器的端口设计实现任意指定进制的计数器； 能够根据要求，进行移位寄存器型计数器的设计：设计相应的反馈组合电路； 附：需要掌握的常用集成电路 74138 3-8线二进制译码器 74153 双4选1数据选择器 74160/2 十进制计数器 74161/3 4位二进制加法计数器 74194 4位多功能移位寄存器 必须掌握上述电路的各端口的功能，扩展及使用方法。 二、模拟电路 第一章 晶体二极管及应用电路 1、半导体基础知识（了解）： 本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。 2、二极管特性（了解）： 二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻 与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。 3、二极管应用（掌握）： 二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。 二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。 二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。 第二章 双极型晶体管（BJT） 1、BJT原理（了解） NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线（掌握） 共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数（掌握） ,β ,α,β, ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义 ￣BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。 4、BJT模型（掌握） BJT的小信号等效模型：简化模型（g m参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。 BJT的混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 第三章 晶体管放大器基础 1、放大器的一些基本概念（正确理解） 信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路（掌握） 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器（掌握） 小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。 4、多级放大器（掌握） 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 第四章 场效应管（FET）及基本放大电路 1、FET原理（了解） 了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响 2、FET特性曲线（掌握） 以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握） 掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。 4、FET的小信号模型（掌握） 理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。 5、FET的CS和CD组态放大器（掌握） 放大器电路、指标计算及特点。 第五章 模拟集成单元电路 1、恒流源(理解电路原理和特点) 恒流源电路的原理和模型，基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点，有源负载放大器原理。 2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法） 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系），各种差放电路，工作点估算，差放的指标（Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric , Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围及大信号限幅特性（了解）。 3、OCL和OTL功率输出电路（掌握） 功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点，乙类功放的交越失真及克服方法。 OCL和OTL电路原理及满激励指标（掌握），功率管极限参数（ICM ,PCM ,BVCEO）对OCL和OTL功放的，实用电路分析（定性），复合管（正确复合方式）。 第六章 放大器的频率响应 1、放大器频率响应的概念及描述（了解） 产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL 、fH 、BW的定义，幅频特性和相频特性函数，频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别，对数频率特性曲线——波特图的概念。放大器的增益函数，零、极点（了解）。 2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握） 用短路时间常数法估算fL，用开路时间常数法估算fH。 第七章 负反馈技术 1、单环理想模型（了解） 基本概念：原输入xs、净输入xi和反馈信号xf ，A放大器、B网络， 开环增益A与Af闭环增益，反馈系数B，反馈深度F，环路传输系数T，基本反馈方程，正反馈与负反馈，深度负反馈。四种反馈类型及其双口网络模型。 2、实际反馈放大器类型及极性的判断（掌握） 3、负反馈对放大电路的影响（定性了解） 了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点的作用 4、在深负反馈条件下正确计算Af和Avsf（掌握） 5、负反馈放大器的稳定性（掌握） 产生自激振荡的原因，自激条件，用已知的T(jω)和A(jω)的波特图判断稳 第八章 集成运算放大器及应用 1、集成运放电路组成及特点（定性了解） 2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，Rid， Ro ，BWG ，SR，VIO ，d VIO/dT，Iio ，d Iio/dT 3、理想运放分析法（重点掌握） 虚短路与虚开路法则，理想运放分析法成立的原因，两个基本的运放负反馈电路、公式及特点。 4、运放的线性应用电路（重点掌握） 代数和运算电路，差动放大器，积分器与微分器，运用理想运放分析法分析各种实用的线性应用电路。 三、题型及分值 主要题型：填空题、判断题、分析设计题、计算题