硅晶片及其制造方法[发明专利]
来源：华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：硅晶片及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：文英熙,金建,高铤槿,皮昇浩申请号：CN200410005410.1申请日：20040218公开号：CN1591781A公开日：20050309
摘要：本发明公开一种硅晶片及其制造方法，藉由使用一种两步骤式RTP(快速热处理)工艺来制备晶片，该工艺藉由控制位于该晶片表面区上的微小氧沉积物及OiSF(氧化诱导堆垛层错)，而得以确保该晶片具有一理想半导体器件区域。藉由执行本发明公开的两步骤式快速热处理工艺，就可精确控制缺陷分布，并且可形成一理想器件有源区直达离该晶片表面一定距离。此外，还能够藉由使该晶片一内部区域(即体型区域)中在深度方向上的氧沉积物及体型堆垛层错具有恒定密度，可以最大化内吸除(IG)效率。为了在该体型区域中获得氧沉积物及体型堆垛层错的恒定浓度分布，会在一预定混合气体气氛中对该晶片执行上述两步骤式快速热处理工艺。
申请人：海力士半导体有限公司,希特隆股份有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容