高选择比氮化硅蚀刻液,其制备方法及应用[发明专利]
来源：华佗小知识
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用专利类型：发明专利发明人：王溯,蒋闯,季峥,郭杰申请号：CN202010817215.8申请日：20200814公开号：CN111925796A公开日：20201113
摘要：本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液，其制备方法及应用。本发明提供了一种蚀刻液，其包括下列重量份数的组分：0.5‑10份化合物A，76.5‑84.6份磷酸和13.5‑14.9份水。本发明的蚀刻液对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化硅膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
申请人：上海新阳半导体材料股份有限公司
地址：201616 上海市松江区思贤路3600号
国籍：CN
代理机构：上海弼兴律师事务所
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