一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法[发明专利]

来源：华佗小知识

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法专利类型：发明专利

发明人：梁士明,王常春,马登学,袁真,刘增欣,杨瑞宁,李因文,

赵晓林,王浩任,宋新飞

申请号：CN2019106173.3申请日：20190710公开号：CN110357132A公开日：20191022

摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法，涉及材料领域，主要为了弥补传统的半导体纳米材料制备方法的不足；该方法包括以下步骤：S01、将氯化钾溶于水中，配制成浓度为0.5‑0.9mol/L的氯化钾溶液；S02、以铝棒作为前驱物置于氯化钾溶液中，加入碱溶液，在67‑92℃的环境下蒸煮34‑46min，生成铝盐附着在铝棒上，然后加入酸溶液，将PH值调节至4‑7，得到半成品溶液；S03、将半成品溶液经过滤、水洗、干燥和煅烧后即得半导体纳米材料。本发明本发明提出了一种制备金属氧化物半导体纳米材料的新工艺路线，能够极大地减小产品粒径，增强量子隧道效应，同时能够提高纯度，保证成品品质，具有广阔的市场前景和较高的实用价值，值得推广使用。

申请人：梁士明

地址：276005 山东省临沂市兰山区双岭路中段

国籍：CN

代理机构：深圳龙图腾专利代理有限公司

代理人：蔡瑞

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