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专利名称：一种金属氧化物半导体纳米材料的制备方法专利类型：发明专利发明人：胡秀兰
申请号：CN201310045571.2申请日：20130205公开号：CN103088386A公开日：20130508
摘要：一种新型的金属氧化物半导体纳米材料的制备方法。通过脉冲直流电源对置于水中的两根金属电极供电以在两电极之间产生等离子体放电，在放电产生的高能量等离子体对金属电极表面进行持续溅射攻击下，从电极表面形成的金属原子或金属原子团簇进入水中，随后经过原位氧化和附着生长形成了具有独特形貌的金属氧化物纳米材料。该方法在常温常压开放体系中运作，实验设备要求简单，可操作性强，且产物纯度高。
申请人：南京工业大学
地址：210009 江苏省南京市新模范马路5号
国籍：CN
代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人：于永进
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