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专利名称：基于嵌入式金属纳米点的晶体管的制造方法及制造
的产品
专利类型：发明专利发明人：张海洋
申请号：CN201410276267.3申请日：20140619公开号：CN105225954A公开日：20160106
摘要：本发明公开了基于嵌入式金属纳米点的晶体管的制造方法及制造的产品。通过这种方法能够制造具有金属纳米点的沟道，从而获得不使用半导体的晶体管。该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；利用间隙填充物填充鳍状结构之间的间隙；暴露鳍状结构的顶部；在所述间隙填充物和所述鳍状结构的顶部上形成金属纳米点阵列；以及去除所述间隙填充物以及所述间隙填充物上的金属纳米点，以形成仅在所述鳍状结构上具有金属纳米点的结构。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张东梅
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